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 30nm以降のプロセスを使うLSI向け欠陥検査技術が,相次いで登場してきた。従来なら欠陥とならなかった30nm以下の微小欠陥を観察できるようにする。このような欠陥のうち,LSIの製造歩留まりを左右する重要欠陥には,Siウエーハ上の異物,平坦化工程でできる微細な傷(シャロー・スクラッチ),Siウエーハ内の活性領域の結晶欠陥がある。これらの検査技術として,暗視野で反射光を利用する方式と,明視野で散乱光を利用する方式が,市場で競い始めている。これら2方式の検査技術を紹介する。