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 電極材料の開発を手掛けるベンチャ企業のナプラが,TSV(Si貫通ビア)を実現する全く新しいプロセス技術を開発した。これは,深い貫通孔に導電体を充填するために使われているCuめっきを置き換える技術である。Cuめっきを使う場合に比べて,プロセス・コストを半分以下にできる。これにより,50米ドル/ウエーハ以下でTSVを形成できる可能性がある。今回,この新プロセスを開発した同社と,その評価や解析,コスト分析を行っている大阪大学 教授の佐藤了平氏が,この新技術の詳細を明らかにする。