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 「ACアダプタが,かなり小さくなるのではないか。ノート・パソコンなどの携帯機器への内蔵も可能になるかもしれない」(パワー半導体の技術者)——。英Cambridge Semiconductor Ltd.(CamSemi社)は,スイッチング周波数を他社現行品の最大5倍にまで高めた横型IGBT(insulated gate bipolar transistor)を開発し,2004年12月に開催された半導体技術の国際学会「IEDM(International Electron Devices Meeting)2004」で発表した。同社の従来の横型IGBTでは30V程度だった耐圧を20倍の700Vに,スイッチング周波数を他社を含めた既存の横型IGBTに比べて2倍~5倍の500kHzに高めたという。電流密度も既存の横型IGBTに比べて3倍の30A/cm2になっている。