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 45nmノード(hp65)から必要になるメタル・ゲートの第1候補に,「FUSI(fully silicided)ゲート」が急浮上してきた。FUSIゲートとは,通常の多結晶Siゲートを表面だけではなく内部まで完全にシリサイド化したゲート電極を指す。ピュア・メタルを使う場合に比べて,従来の多結晶Siゲートに近い製造プロセスでメタル・ゲートを実現できる点が注目されている。しかし,これまでは高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜と組み合わせた際に「フェルミ・レベル・ピニング」と呼ぶしきい電圧シフトの問題が起きるとされており,実用化が疑問視されていた。