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 従来の検査・解析技術では見つけられなかった“隠れた欠陥”の可視化手法を提案する。これらは,45nmノード(hp65)の歩留まり向上の決め手となる。45nmノードでは,新しい絶縁膜材料や露光技術の導入による歩留まりの低下が懸念される。それだけに,検査・解析技術を積極的に利用することが重要となる。

 LSIの製品サイクルの短期間化,価格下落などが顕著になった180nmノード以降,LSIメーカーは検査・解析にかかわる支出を抑制してきた。しかし,45nmノードに向け製造技術の高度化が進むにつれて,検査・解析技術の重要性が顕在化することが予想される。ここにきて,従来は見つけられなかった欠陥を可視化する検査・解析技術が,次々と登場している。45nmノードに向けたそれらの技術の主な課題は,次の五つである。すなわち,(1)新材料の導入に対する信頼性の予測,(2)インラインでのプロセス結果の測定,(3)低電圧・高速動作信号の測定,(4)デバイスの微小領域の構造解析,(5)設計側と評価・解析側の連携の強化である。