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 LSIからトランジスタを不要にする“原子スイッチ”が,現実味を帯びてきた。原子スイッチとは,原子の移動を制御することでトランジスタの代わりを果たすデバイスである。今回,物質・材料研究機構(NIMS)ナノマテリアル研究所所長の青野正和氏らのグループが,科学技術振興機構(JST),理化学研究所と共同で原子スイッチを作製し,1MHzでの動作を確認した。さらに,クロスバ構造を利用してANDやNOTなどの基本論理ゲートや不揮発性メモリーを試作し,その動作実証を行った。今回開発した手法を使って,原子スイッチを「5~10年以内に実用化したい」(NIMS ナノマテリアル研究所 原子エレクトロニクスグループ アソシエート ディレクターの長谷川剛氏)とする。