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コストでフラッシュに対抗できる
新型メモリーが実用化へ前進

新型の不揮発性メモリーが,再び注目を集め始めた。コスト競争力で高いポテンシャルを持つデバイスが,これまでの予想より早く実用化できる可能性が出てきたためである。これらの新型を既存の材料やプロセスで作製する技術にメドが立ち,未知だったデバイス物理の検証も進んだ。「ポスト・フラッシュ」に位置づけられていた新型が,研究者の予想より早くフラッシュとコストで競合する可能性は高い。新材料は使わないがコストでフラッシュと張り合える3次元メモリーの量産は,すでにスタートした。

【「OxRRAM」(デバイス)】多値による低コスト化,CMOS工程で実現
 韓国Samsung Electronics Co., Ltd. Process Development Team Memory Divison Senior EngineerのIn—Gyu Baek氏の講演から「OxRRAM」について解説する。

【「OxRRAM」(動作原理)】メカニズムの有力な仮説を提案
 「OxRRAM」の動作メカニズムに関して,産業技術総合研究所 強相関電子技術研究センター 主任研究員の澤彰仁氏の講演内容を以下にまとめる。
 「OxRRAM」のメモリー機能を担う電界誘起巨大抵抗変化(CER 効果 : colossal electro-resistance)のメカニズムを検証した。その結果,この動作メカニズムを矛盾なく説明できるモデルを見いだすことができた。このモデルは,記憶素子を構成する酸化物と金属電極の界面のエネルギ・バンドに着目して構築している。ポイントは「強相関電子系」と呼ばれるグループに属する酸化物の性質と,この材料の界面での電気伝導度が電界の印加により大きく変化する現象である。このモデルを検証するために実施した実験結果についても詳細に報告する。

【PRAM】1.5F2/ビットを実現可能,32nm以降の本命に
 米Intel Corp. Vice President, Technology and Manufacturing Group, and Director,California Technology and ManufacturingのStefan K. Lai氏の講演から,PRAM(phase change RAM)の部分について抜粋した。

【MRAM】Gビットに向け,電力削減技術が続々と登場
 MRAM(magnetoresistive RAM)に関して東芝と共同研究を進めているNECのシステムデバイス研究所 研究統括マネージャーの田原修一氏の講演からMRAMの最新動向について述べる。

【3次元メモリー】1F2/ビット以下,2008年に5Gビットへ
 セル・アレイを積層させることでビット当たりの製造コストの低減を実現する3次元メモリーについて,米Matrix Semiconductor,Inc. Chief Operating OfficerのSiva Sivaram氏の講演から,その詳細を紹介する。
 このメモリーは,セル・アレイを縦方向に積み上げて3次元構造とした1回のみ書き込みが可能なOTP型の(one time programmable)不揮発性メモリーである。セル面積,製造コスト,微細化の三つの点でフラッシュ・メモリーに比べて有利である。