PR
 光通信に必要な要素デバイスを化合物半導体ではなく,Siで実現しようという動きが相次いでいる。例えば,米Intel Corp.はSi製のラマン・レーザーを連続発振させることに成功した。NECはSi製のフォトダイオードで20GHzという高速動作を達成している。いずれも5~10年後の実用化を目指している。光通信の分野でSiが使えるようになれば,減価償却が終わったラインで安価に光素子を製造できるため,通信システムを大幅に低コスト化できる。また,将来的にはSiチップ上の高速配線に光通信を応用できる可能性も出てくる。