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イメージ・センサーにも“微細化の限界”が訪れている。これまで画素寸法を微細化することでイメージ・センサーは進化してきた。そのペースが今後1～2年で鈍化することになる。微細化が差異化要因でなくなることから，米Micron Technology, Inc.のようなMOS型でコスト競争力に強みを持つところが勢力を拡大する可能性が高くなる。これまで覇権を握ってきた日本のセンサー・メーカーは，かつての“DRAMの二の舞”を避けるため，MOS型による高フレーム・レート化，広ダイナミック・レンジ化という高付加価値路線で対抗する。


　「日本メーカーを次々に撤退に追い込んだDRAMの再来」。これをイメージ・センサーで実現しようと，米Micron Technology, Inc.が仕掛けている。

　イメージ・センサーはデジタル・カメラや携帯電話機の高画素化の流れに沿って，チップ寸法を維持しながら，いかに画素数を増やせるか，すなわち画素の微細化を競っていた。その中で，CCD型センサーとMOS型センサーのどちらが優位かを議論する「CCD型 vs. MOS型」の技術論争が繰り広げられる。その微細化で主導権を握り続けてきたのが日本のセンサー・メーカーである。日本が圧倒的に強みを発揮できる半導体分野の最後の砦ともいえる。

　ところが，ここへ来て微細化の限界とともに，Micronのコスト競争力が大きな意味を持ち始める。これに対し，日本メーカーは，高付加価値路線で勝負に出る。