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液浸ArF露光によって本当にLSIの歩留まりは改善できるのか--。この答えの一端を,台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.(TSMC)と米IBM Corp.が試作チップで見せた。これまで液浸露光による歩留まりの改善効果は基礎的な露光実験では示されていたが,試作チップで実証したのは初めてである。液浸露光技術が実用化に向けて大きく前進したといえる。同時に,これまで不明だった新たな課題がチップの試作結果から見えてきた。一部の先進的な装置・材料メーカーはその対策を講じ始めている。

 疑問視されていた液浸ArF露光の歩留まり改善効果を,LSIメーカーが実証した。台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.(TSMC)と米IBM Corp.が試作チップで確認した。2004年12月に両社は試作したことを明らかにし,この3月の「SPIE 30th International Symposium Microlithography(Microlithography 2005)」では歩留まり改善を報告している。試作チップによる歩留まり改善の報告は初めてであり,液浸露光技術は実用化に向けて大きく前進した。