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米Micron Technology社の五味秀樹氏 
米Micron Technology社の五味秀樹氏 
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――微細化の現状について詳しく教えてください。

 2000年代を迎えた頃から、DRAMの微細化のペースは緩みました。ここ2~3年、それがさらに顕著になってきた。技術ノードでいえば、30nmを切った時点からです。われわれはかねて、チップサイズを年率30%のペースで縮小することを目指してきました。これがかなり難しくなってきた。

 背景は大きく2つあります。一つは、微細化に必要なコストが高くなり、コストメリットを得にくくなってきたこと。もう一つは、DRAMに固有の問題ですが、キャパシターのこれ以上の微細化が難しくなってきたことです。キャパシターの微細化が進み、アスペクト比はこれ以上の余地がないほどに大きくなっています。

 コストについて言うと、ダブルパターニングの導入が響いています。30nm世代ではダブルパターニングが必要なレイヤーはそれほど多くなかったのですが、20nm世代まで微細化が進むとどのレイヤーにも必要といった状況になる。しかも、ダブルパターニングは1次元方向の加工であり、2次元方向の寸法縮小に対する自由度が小さいんです。EUV(extreme ultraviolet)露光装置の開発も進んでいますが、ランニングコストが現状では見えていません。