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米Micron Technology社の五味秀樹氏 
米Micron Technology社の五味秀樹氏 
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――DRAMの微細化が難しくなってきた今、ReRAM(抵抗変化型メモリー)やSTT-MRAM(スピン注入磁化反転型MRAM)で置き換えるという手はないのでしょうか。

 なかなか難しいですね。今のところ、DRAMを完全に置き換えられる新型メモリーは出てきていません。(DRAMとNANDフラッシュの性能差を埋める)ストレージ・クラス・メモリーとして使えるとの見方もありますが、そうした新しい階層のメモリーに的を絞ったものはなかなか出番がないと私は見ています。何らかの形で既存のメモリーを一部置き換えていけるデバイスが必要でしょう。

 ReRAMはなかなか難しい。STT-MRAMもDRAMのような無限回書き換えが可能かというと、やはり難しそうです。ただし、新型メモリーにはDRAMにはない不揮発という特徴があり、そこを生かす方向があるのではないかと思います。