恩田 正一(おんだ・しょういち)
1982年、名古屋大学工学部応用物理学科修士課程修了。同年、日本電装（現デンソー）入社。アモルファスSi太陽電池の開発、分散液晶の開発を経て、1994年からSiC半導体の研究に従事。現在、基礎研究所 機能材料研究部長、次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 日進分室長。
連載
パワー半導体
出典：日経エレクトロニクス
記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります。
1982年、名古屋大学工学部応用物理学科修士課程修了。同年、日本電装（現デンソー）入社。アモルファスSi太陽電池の開発、分散液晶の開発を経て、1994年からSiC半導体の研究に従事。現在、基礎研究所 機能材料研究部長、次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構 日進分室長。
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