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表1 「パワー半導体の技術マップを探る」をテーマにしたSCR大喜利での回答
表1 「パワー半導体の技術マップを探る」をテーマにしたSCR大喜利での回答
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 パワー半導体でSi系、SiC系、GaN系のすみ分けの構図の行方を問う設問では、すべての回答者が少なくとも当面すみ分けると答えた。ただし、服部コンサルティング インターナショナルの服部 毅氏は、「物性的にはSiCよりGaNのほうが素性がよい。大化けする可能性を秘めている」と指摘した。大化けの条件は「結晶欠陥の少ないGaN-on-GaN基板が得られること」(服部氏)という。

 複数材料系の同時開発では、事業のシナジー効果が望めるのか、それとも戦力分散を招くのかを問う設問では、「SiCとGaNの双方をカバーできれば、開発負担は大きくても、アプリケーションのカバー領域が大きくなるメリットを享受できる」(IHSテクノロジーの大山 聡氏)と同時開発肯定論が大勢を占めた。アーサー・D・リトルの三ツ谷翔太氏はパワー半導体の事業モデルの特性に言及し、「パワー半導体事業はソリューション型事業と捉えるべき。顧客視点からの開発が重要」とした。開発負担増に関しても、「SoC開発に比べて、パワー半導体の開発に要する戦力は1ケタ少ない」(某半導体メーカーの清水洋治氏)と、負担増は意外に少ないと指摘する意見もあった。

 材料系を絞って技術開発する場合、継続的に事業を営むための方策を問う設問では、顧客企業との間合いを縮めて事業を行うことの重要性を指摘する意見が多かった。

 三ツ谷氏は、「自社の材料に過度に固執するあまり、顧客視点が疎かにならないように留意する必要がある」とした。また大山氏も、「自動車用Liイオン二次電池の例にならい、機器メーカーをパートナーに選び、共同開発を進めることが有効」としている。