特集 パワー半導体4.0 特集をフォロー 根津 禎 日経エレクトロニクス コピーしました PR （写真：Getty Images） 出典：2014年12月22日号 p.33 日経エレクトロニクス 記事は執筆時の情報に基づいており、現在では異なる場合があります。 目次 【第2部：GaN動向】GaNパワー素子が離陸、次世代品はSiCの代替を視野 GaNパワー素子がパワコンやオーディオ機器などに採用された。さまざまな電源に適用できる耐圧600V品が量産されている。GaN基板上に高耐圧のGaNパワー素子を作る研究開発も始まった。日経エレクトロニクス 2014.12.22 【第1部：SiC動向】SiCがメジャーデビュー、クルマの心臓部に載る 長らくSi一辺倒だったパワー半導体に世代交代の波が押し寄せてきた。その主役はSiCやGaNといった次世代パワー半導体だ。SiCパワー素子は自動車に搭載され、GaNパワー素子は実用化が始まった。日経エレクトロニクス 2014.12.22 PR 日経クロステック Special What's New カーボンニュートラル実現に貢献する半導体 エレキ カーボンニュートラル実現に貢献する半導体 毎月更新。電子エンジニア必見の情報サイト 自動車 EV化に向けた攻めのカーボンニュートラル 量産車への採用が進むA2BとC2B
