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性能を引き出す新型モジュール

 SiCパワー素子が身近になったことで、同素子の性能を引き出す新たなモジュール技術の開発が活発化している(図7)。

図7 SiCの性能を引き出す新型モジュールの開発が進む
図7 SiCの性能を引き出す新型モジュールの開発が進む
SiCパワー素子の性能を引き出すための新たなモジュール化技術の開発が進む。例えば富士電機は、同社従来品に比べて大きさを1/5以下、パワーサイクル耐量を20倍に高めたモジュールを開発した。日立製作所は、電力容量を200%にできる新しい両面冷却型のモジュールを試作した。(写真:(b)は日立製作所)
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 例えば富士電機は、同社従来品に比べて大きさ1/5以下、信頼性20倍の産業用の新型パワーモジュールを開発した。Siパワー素子だけでなく、SiCパワー素子の適用も視野に入れたものだ。

 拡張性を高めるために、新型モジュールは複数個並列につなげられる仕様にした。高出力を求める用途では複数個を、それほど出力を求めない用途では1個だけ利用する。出力別に複数種類のパッケージを準備するのに比べて、モジュールの性能評価の工程を省きやすい利点がある。

 日立製作所は、SiCやGaNのパワー素子を利用した、両面冷却型のパワーモジュールを開発した。従来の片面冷却品に比べて、電力容量を200%にできるという。