【VLSI速報】Samsung社，セル面積0.028μm²と世界最小のDRAMセルを試作

　韓国Samsung Electronics Co.，Ltd.は，セル面積を0.028μm²としたスタック型DRAMセルを試作した。同社によれば，DRAMセルの面積としては世界最小という。設計ルールは68nmである。セル面積を従来より小さくきたのは，6F²のセル構造を採用したため。ビット線の間隔は3F，ワード線の間隔は2Fである。同社は2004年のVLSI Technologyで設計ルール70nmのDRAMセルを試作したが，このときのパターンは8F2²だった（Tech-On!関連記事1）。