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 Ni-FUSI(fully silicided)ゲートの仕事関数を広範囲に制御できる45nmノード(hp65)向け技術を富士通研究所と富士通が共同開発し,「2005 Symposium on VLSI Technology」で発表した(講演番号5A-1)。ゲート絶縁膜はSiONを想定している。

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