Ni-FUSI（fully silicided）ゲートの仕事関数を広範囲に制御できる45nmノード（hp65）向け技術を富士通研究所と富士通が共同開発し，「2005 Symposium on VLSI Technology」で発表した（講演番号5A-1）。ゲート絶縁膜はSiONを想定している。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に！
【春割開始】日経電子版セットで２カ月無料
日経クロステックからのお薦め
