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 大阪大学,半導体先端テクノロジーズ(Selete),アルバックは,低H含有量のSiN膜を低温で形成できる熱触媒CVD(Cat-CVD)法を共同開発し,「2005 Symposium on VLSI Technology」で発表した(講演番号6A-2)。pMOSのNBTI(Negative Bias Temperature Instability)寿命を従来の熱CVDに比べて二ケタ改善できる。

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