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韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は,high-k材料を採り入れたFinFET構造のNOR型フラッシュEEPROMセルを試作した。同社は2004年にFinFET型のNOR型フラッシュEEPROMセルを試作しており,今回の研究はこれを発展させたものである。Siフィンの幅は60nm,高さが100nmほどで,1チップ当たりの容量は256Mビットになるという。「2005 Symposium on VLSI Technology」で詳細を報告した(講演番号11B-3)。

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