韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は，high-k材料を採り入れたFinFET構造のNOR型フラッシュEEPROMセルを試作した。同社は2004年にFinFET型のNOR型フラッシュEEPROMセルを試作しており，今回の研究はこれを発展させたものである。Siフィンの幅は60nm，高さが100nmほどで，1チップ当たりの容量は256Mビットになるという。「2005 Symposium on VLSI Technology」で詳細を報告した（講演番号11B-3）。
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