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 半導体MIRAIプロジェクトは,ひずみGOI(Ge on insulator)構造およびSOI(Si on insulator)構造を採用したCMOSで,pMOSの電流駆動能力をnMOS並みの従来比4倍に向上させることに成功した。2005年6月14日~18日に京都で開催されている「2005 Symposium on VLSI Technology」で発表した(講演番号5B-3)。

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