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「2005 Symposium on VLSI Technology」のセッション6B「Advanced Memories?」では,PRAM(相変化メモリー)のプログラム電流減少技術,FeRAM(強誘電体メモリー)の薄膜化と水素バリア膜に関する発表を韓国Samsung Electronics Co., Ltd.が独占した。

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