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米IBM T.J. Watson Research Centerは,MEMS技術を使ってスイッチ素子を組み込んだパワー・アンプを試作した。W-CDMA方式の携帯電話機向けSiGe製パワー・アンプのダイに,可動するスイッチ素子を形成した。米カリフォルニア州ロングビーチで開催された高周波技術の国際会議「IMS2005」のワークショップで発表したもの。

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