「2005 Symposium on VLSI Technologies」の「セッション7B」の「Flash memory Ｉ」は，すべてがMONOS/SONOSに関するものであった。「セッション11B」では，米Intel Corp.の「ETOX」の延命技術，ルネサス テクノロジの「AG-AND」の「negative source drive」による高速・高収束書き込み技術，バルクFinFETのCHEI書きこみ浮遊ゲート・メモリー，SiO2/AlN/HfAlO/IrO2(電極)メモリーの発表があった。
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