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 「2005 Symposium on VLSI Technologies」の「セッション7B」の「Flash memory I」は,すべてがMONOS/SONOSに関するものであった。「セッション11B」では,米Intel Corp.の「ETOX」の延命技術,ルネサス テクノロジの「AG-AND」の「negative source drive」による高速・高収束書き込み技術,バルクFinFETのCHEI書きこみ浮遊ゲート・メモリー,SiO2/AlN/HfAlO/IrO2(電極)メモリーの発表があった。

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