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 シャープの欧州における研究開発拠点である英Sharp Laboratories Europe Ltd.(SLE)は,MBE(molecular beam epitaxy)法と呼ぶ結晶成長技術を使ってGaN系の青紫色半導体レーザを試作,今回室温での連続発振に成功した。同研究所は2004年に世界で初めてMBE法による結晶成長で室温パルス発振に成功しているが,今回の成果も世界初とする。

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