シャープの欧州における研究開発拠点である英Sharp Laboratories Europe Ltd.（SLE）は，MBE（molecular beam epitaxy）法と呼ぶ結晶成長技術を使ってGaN系の青紫色半導体レーザを試作，今回室温での連続発振に成功した。同研究所は2004年に世界で初めてMBE法による結晶成長で室温パルス発振に成功しているが，今回の成果も世界初とする。
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