シャープの欧州における研究開発拠点である英Sharp Laboratories Europe Ltd.（SLE）は，MBE（molecular beam epitaxy）法と呼ぶ結晶成長技術を使ってGaN系の青紫色半導体レーザを試作，今回室温での連続発振に成功した。同研究所は2004年に世界で初めてMBE法による結晶成長で室温パルス発振に成功しているが，今回の成果も世界初とする。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステック登録会員になると…
・新着が分かるメールマガジンが届く
・キーワード登録、連載フォローが便利
さらに、有料会員に申し込むとすべての記事が読み放題に！
【SE応援割開始】月額プランは8月末まで無料
＞＞詳しくは
日経クロステックからのお薦め
「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。
