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 米Rohm and Haas Electronic Materials CMP, Inc.は,Cu/low-k配線のCMP(chemical mechanical polishing)プロセスの信頼性を高められる研磨液(スラリー)を開発した(リリース)。Cu膜や,バリヤー層であるTaN膜,層間絶縁材料である低誘電率(low-k)膜を均等に研磨でき,凹凸が生じたり,low-k膜に機械的なダメージを与えるのを防ぐことができる。90nmノード(hp130)や65nmノード(hp90)のLSIに適用できるとする。

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