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 伊仏STMicroelectronics(ST)社は,動作時の抵抗値(オン抵抗)を従来比で40%削減した3次元構造のパワーMOS FETを製品化した(リリース,図1)。オン抵抗は140~380mΩ,定格電圧は500~600Vである。

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