NECは,物質・材料研究機構(NIMS),科学技術振興機構(JST)と共同で,金属原子の溶解と析出を利用して電気的接続を制御する3端子のスイッチ素子を開発した。論理を自由に組み替えられるプログラマブルLSIのSRAMとパス・トランジスタをこの素子で置き換えれば,チップ面積を1/10程度に削減できるとする。2005年12月5~7日に米国で開催される「2005 International Electron Devices Meeting(2005 IEDM)」の新型ナノ・デバイスのセッション(論文番号:19.5)で発表する。
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