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　韓国Samsung Electronics Co.，Ltd.は9つの半導体製造ラインを新設するという中長期計画を発表した。投資額は2012年までの7年間で330億米ドル（約3兆7000億円）。9ラインのうち8ラインをDRAMやフラッシュ・メモリ，システムLSIの量産ラインとする。残りの1ラインは研究開発用に使う予定である。積極的な設備投資でメモリ市場における同社の高いシェアを維持し続ける狙いとみられる。

　次世代の研究開発用のラインは2006年5月から稼働する予定で，半導体の微細化技術だけでなくメモリに関する研究を手掛ける。研究開発には設備投資とは別に8億6000万米ドルを投資し，2012年までに技術者をさらに5000人増員する計画である。

　なお，日経エレクトロニクスは2005年10月10日号にSamsung社のフラッシュ・メモリ戦略に関する記事を掲載する予定です。