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 沖電気工業は,SOS(silicon on sapphire)技術を使うRFスイッチを開発した。GaAs化合物半導体を使う既存のスイッチに比べて消費電力を1/5,静電気放電破壊(ESD)耐圧を4倍にできる。2つのアンテナの無線信号の受信状況に応じて信号を適宜切り替えられる2入力/2出力(double pole double throw:DPDT)構成をとり,動作周波数は3GHzである。

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