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　台湾のファブレス企業であるRealtek Semiconductor Corp.と，米University of Californiaの研究グループは，無線通信技術「UWB（ultra wideband）」対応の物理層とRFトランシーバ回路を1チップに集積したLSIを「ISSCC 2006」で発表する。UWBの物理層の処理回路とRF回路を1チップに集積したLSIが公表されるのは今回が初めてという。講演の名称は「A Fully Integrated UWB PHY in 0.13μm CMOS」（講演番号6.6）。

　ダイレクト・コンバージョン方式のRFトランシーバ回路と，物理層の処理回路を130nmルールのCMOS技術で1チップに集積した。UWBの変調方式は，高速無線通信の業界団体「WiMedia」が提案するマルチバンドOFDMで動作する。3.1GHz～4.8GHzの周波数帯域において，周波数ホッピング・モードと周波数固定モードの両方に対応する。RFトランシーバの消費電流は受信時に100mA，送信時に70mA。チップ寸法は17mm2である。