半導体理工学研究センター（STARC）は，CMOSトランジスタ・モデル「HiSIM」向けのモデル・パラメータ抽出で協力することで，日本ケイデンス・デザイン・システムズと合意したと発表した。HiSIM（Hiroshima-University STARC IGFET Model）はSTARCと広島大学とが共同で開発してきたもので，「Compact Model Council（CMC）」が選定する次世代の標準トランジスタ・モデルの候補である。
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