台湾Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.（TSMC）とNational Chiao-Tung Universityの共同グループは，米国Washington D.C.で開催中の「2005 IEDM」で，従来SOI（silicon on insulator）基板に形成することがほとんどだったFin FET構造のSONOS型フラッシュ・メモリーをバルクSi基板に形成した結果を報告した（講演番号7.1）。ゲート長が20nmの場合に10μsでデータを書き込めること，および2ビット/セルに多値化できることを実証した。
この記事は会員登録で続きをご覧いただけます
-
会員の方はこちら
ログイン -
登録するとマイページが使えます
今すぐ会員登録（無料）
日経クロステックからのお薦め
日経BP 総合研究所がお話を承ります。ESG／SDGs対応から調査、情報開示まで、お気軽にお問い合わせください。
ブランド強化、認知度向上、エンゲージメント強化、社内啓蒙、新規事業創出…。各種の戦略・施策立案をご支援します。詳細は下のリンクから。
「デジタル＆ソリューション」をキーワードに、多様な事業を展開しています。
日経BPは、デジタル部門や編集職、営業職・販売職でキャリア採用を実施しています。デジタル部門では、データ活用、Webシステムの開発・運用、決済システムのエンジニアを募集中。詳細は下のリンクからご覧下さい。
