「液浸ArF露光はどこまで延命できるか」。「EUV(extreme ultraviolet)露光は本当に立ち上がるのか」。2006年から開発が本格化し,2009年に量産へ移行する32nmノード(hp45)のリソグラフィ技術に関する議論が活発化している。液浸かEUVかによって,DFM(design for manufacturability)をはじめとするLSI設計・製造戦略が大きく左右されるためである。LSIメーカーは自社の事業戦略に合った露光方式を早急に見極めなくてはならない。一方,2007年から量産が始まる45nmノード(hp65)に関しては,液浸ArF露光装置を量産ラインで実証するフェーズに突入した。露光だけではなく,周辺の塗布・現像など,さまざまな装置・部材技術の完成度が問われる。
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