PR

 ベルギーSarnoff Europe社は,東芝がSarnoff EuropeからLSIのESD(electrostatic discharge)対策技術を追加取得することになったと発表した(ニュース・リリース:PDF)。東芝は2000年にSarnoff Europe社から「TakeCharge」と呼ばれるESD対策技術を取得し,0.18μm,0.13μm,90nmのCMOS LSIチップなどに適用している。

 ESD対策は,発生する大電流モデルを仮定して実施するのが一般的である。HBM(human body model),MM(machine model),CDM(charged device model)がよく知られている。HBMとMMはそれぞれ帯電した人体と機械(製造装置など)からデバイスに大電流が流れるモデルである。東芝は,従来,このHBMとMMに対応したTakeChargeの技術を取得,適用していた。

 今回,CDMに対応したTakeChargeの技術を新たに得た。CDMは帯電したデバイスから他のものに大電流が流れるモデルである。東芝は,取得した技術をアナログとデジタルのIC/LSIに取り入れる。ニュース・リリースには,東芝のNaoyuki Shigyo氏(chief specialist, Analog CAD Engineering Department, Semiconductor Company)のコメントが紹介されている。「機器メーカーから,CDMのESD対策済みデバイスに関して質問されることが増えている。HBMとMMのESD対策で実績を上げてきたTakeChargeの技術が,CDMでも有効だと考えている」(Shigyo氏)。