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 現在知られている半導体の中で最も電子移動度が高いInSbを使ったロジックLSI向けトランジスタが登場した。現在のひずみSiやSiGeをしのぐ“究極の高速化”を狙っている。米Intel Corp.が,英QinetiQ Ltdと共同で開発した。ゲート長85nmのトランジスタを試作し,遮断周波数305GHzを達成している。マイクロプロセサ向けなどで2015年頃までの実用化を目指す。

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