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 LSI製造時のデバイス損傷を抑制できる微細加工技術を開発した。通常,LSI製造ではプラズマ中の荷電粒子をSi基板に当てて微細加工をする。しかし,プラズマから出る荷電粒子や放射光はデバイスに損傷を与え,リーク電流などを増やす要因にもなる。特にナノオーダーの微細デバイスでは,わずかな損傷がデバイス特性を大きく左右する。われわれは今回,デバイスに入射する荷電粒子を中性粒子に変え,さらに放射光を遮へいすることによって加工時のデバイス損傷を低減した。実際にトランジスタを試作した結果,従来に比べてリーク電流を大幅に改善できた。プラズマは微細加工や表面改質,薄膜堆積といった多くの工程に使われているため,今回の技術がLSI製造分野に与えるインパクトは大きい。

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