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 米Texas Instruments Inc.(TI社)と米MITの研究グループは,+0.4Vとサブ・スレッショルド領域で動作するSRAMを試作した。技術の詳細は,米MITの研究者がISSCC 2006で発表した[講演番号 34.4]。65nmルールのCMOS技術を使って,10個のトランジスタで構成する。試作チップの容量は256kビット。米DARPAの研究プロジェクトの成果で,回路構成を米MITが検討し,TI社が製造した。

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