PR

 東芝と米SanDisk Corp.は,NAND型フラッシュ・メモリの生産能力を増強するため,1200億円規模の追加投資に踏み切る(ニュース・リリース12)。東芝は630億円,SanDisk社は約5億米ドルと,ほぼ投資額を折半する。既に両社は2005年10月に追加投資を行っているが(Tech-On!関連記事),フラッシュ・メモリの旺盛な需要に合わせて投資額を上乗せした。「需要の伸びに合わせた追加投資により,現在のシェアを堅持することを目指す」(東芝 広報室)。

 投資の対象となるのは,2005年2月に竣工した四日市の300mmウエハー工場「Fab3」である。2005年10月時点の計画では,2007年3月までに月産4万8750枚まで製造能力を引き上げる計画だった。これを月産7万枚まで上乗せする。今回の投資によって,Fab3のクリーンルーム面積の70%が埋まる。このペースで設備の増強を進めれば,2008年にはFab3に続く新工場棟が必要になりそうだ。

 設備投資と合わせてプロセスの微細化も進める。今後は200mmウエハー・ラインで導入済みの70nmルールの製造技術を,300mmウエハー・ラインにも適用する。さらに2006年度下期には,52nmルールへの移行を始める。

 東芝は,今回の投資額630億円を同社のフリー・キャッシュフロー(純現金収支)でまかない,2005年度第4四半期に計上する。これで2005年度の半導体事業への設備投資費は計2890億円となる。一方SanDisk社は,負担する5億米ドルの一部について外部から調達することを検討している。