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開催前夜の会場。
開催前夜の会場。
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 不揮発性メモリー技術の国際学会「21th Nonvolatile Semiconductor Memory Workshop (NVSMW 2006)」が,米国California州Montereyで2006年2月13~15日にかけて開催される。1976年に第1回を開催し1年半に1度のペースで回を重ねてきた同会は,今回で30年目の節目の年を迎える。

 「浮遊ゲート構造のフラッシュ・メモリーは,どのプロセス世代まで延命するのか。これが今回の主眼――」(Technical Committeeを務める東芝セミコンダクター社の吉川邦良氏)。同会は,半導体メモリーを扱う学会の中ではもともとフラッシュの比重が大きいことを特徴とするが,今回はそれが際立っている。

 招待講演を除く5つの技術セッションのうち,新型不揮発が主題の1セッション(7件)を除く4セッション(27件)がフラッシュ関連である。4セッションは,混載(3件),浮遊ゲート型(7件),高誘電率(high-k)膜やナノ微粒子トラップ型(9件),窒化膜トラップ型(8件)に分かれる。このうち,混載以外の24件は浮遊ゲート型と“ポスト浮遊ゲート型”に属するもの。「前回から1年半しか経っていないが,その間に,フラッシュの延命は40nm以降でいよいよ難しくなるとの危機意識が一挙に高まった」(東芝の吉川氏)ことが背景にある。初日に催されるパネル・ディスカッションのテーマは,“Where is the end of the road for floating gate scaling and what will replace it.(浮遊ゲート型のスケーリング限界はどの世代で訪れるのか,そしてその後を継ぐ構造は?)”。韓国Samsung Electronics Co., Ltd.や米Micron Technology, Inc.を始めとするフラッシュ各社の技術者が登壇する。

 学会への参加者数は,過去最高の325人を記録した前回を下回る250人程度になる見通し。「不揮発性メモリーへの関心が薄れている訳ではなく,むしろその逆。関連する学会やシンポジウムの数がここ数年で増加しており,今回の減少は各社からの派遣者がそれらに分散した結果だろう」(General Chairmanを務めるMicronのAndrei Mihnea氏)。