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会場は恒例のHyatt Regency Monterey。
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参加者数は前回を約70人下回る250人。約80社の技術者が集った。
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 「21th Nonvolatile Semiconductor Memory Workshop (NVSMW 2006)」の初日の講演が始まった。午前のセッションでは,韓国Samsung Electronics Co., Ltd. Senior Vice PresidentのKi-Nam Kim氏の招待講演に注目が集まった。「フラッシュの微細化にいくつもの障壁があることを素直に認たうえで,その対策に具体的に言及しているところに逆に同社の自信が垣間見える」(講演を聴いたメモリー技術者)。

 講演題目は“Future Outlook of NAND Flash Technology for 40nm Node and Beyond”。「2005 IEDM」や「第4回半導体メモリー・シンポジウム」(NIKKEI MICRODEVICES主催)での同氏の発表内容(Tech-On!関連記事)に加えて,動作速度や耐久性といった,容量以外のNAND型フラッシュへの要求が今後どのように変化するかについての見通しを語った。

書き込み高速化へ,2~3年以内にDDRが必要に

 動作速度に関する見通しは,「データ書き込み速度の高速化への要求が格段に高まる」というもの。NAND型の需要が,高画質の動画のダウンロードといった大容量データの書き込みが必要な用途で高まることをその理由に挙げる。書き込み高速化の手法として,次の二つが有効とする。

 まず,書き込みのページ・サイズを大きくすること。FN(Fowler-Nordheim)トンネリング方式で書き込むNAND型では,ページ・サイズを増大させても消費電力が比較的増えにくいという。次に,データ・ロード時間を短縮すること。これは,ページ・サイズを拡大し,書き込み時間に占めるロード時間の比率が相対的に高まる際に重要になる。ロード時間の短縮には,データ転送速度の向上が必要。そのため同氏は,2008年頃にはNAND型でDDR(double date rate)技術が必要になると見る。

Gビット級に必要な保証回数は3000回以下

 耐久性に関する見通しは,NAND型では大容量化することが耐久性への要求を緩和する効果を持つようになること。理由は,あるブロック中のあるセルに着目すると,容量が大きくなった際にそのセルが書き込みおよび消去される確率が,小容量品で少数のブロックで書き込みおよび消去を繰り返し行う場合に比べて小さくなるからである。

 例えば,デジタル・カメラ向けの容量128Mバイトのフラッシュには1万回の動作保証が必要であるのに対し,容量を1Gバイトに増やすと1/4の2600回を保証できれば良い。後者は,1Mバイトの写真を毎日700枚撮った場合に10年間を保証できる回数に相当し,実用上ほぼ問題がないからである。ただし,「あくまで書き込みや消去の速度を変えなくていいと仮定した場合の話。実際には,大容量化に伴って動作の高速化が必要になるから,耐久性への要求が単純に緩和されるとはいえない」(講演を聴いたメモリー技術者)との指摘もあった。