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 「浮遊ゲートでの30nm世代突破は第1目標,それ以降の微細化も見据えている」!)!)。東芝は,「21th Nonvolatile Semiconductor Memory Workshop (NVSMW 2006)」の初日に開催されたパネル・ディスカッションで,浮遊ゲート型フラッシュの微細化について,このような強気の見方を示した。

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