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 「2009年問題」を突破すべく,NAND型フラッシュ・メモリー各社が40~30nm世代の微細化に向けた技術開発を加速し始めた。まずは,浮遊ゲート構造を40nm世代まで延命することが第1のハードルになる。NAND型大手は,そのハードルを越えるための手法を見いだし始めた。続く30nm世代に向けては,浮遊ゲート構造を代替する構造の開発に拍車がかかっている。40~30nm世代の壁を乗り越えれば,成長著しい大容量ストレージ市場の恩恵をNAND型各社が受け続けることができる。

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