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 韓国Samsung Electronics Co., Ltd.は,Si貫通電極を使ってMCP(multi chip package)化したNAND型フラッシュ・メモリーを搭載するメモリー・カードを2007年初頭に製品化する。その後,サーバー向け高速DRAMなどにもSi貫通電極技術を導入する計画である。

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