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 NAND型フラッシュ・メモリーは,50nm世代の量産を間近に控え,「微細化限界」が指摘されてきた40~30nm世代の量産時期がいよいよ3~4年以内に迫ってきた。フラッシュ各社はどのような技術でこの壁を破るのか。東芝と激しい開発競争を繰り広げている韓国Samsung Electronics Co., Ltd.の半導体研究部門の責任者に聞いた。

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