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 ロームが,ハイブリッド車などの駆動回路に向けたパワー半導体のSiC-MOS FETを開発,2008年頃の量産を目指してサンプル出荷を始める。SiC-MOS FETはSi-MOS FETに比べて動作時の電力損失が少なく,動作温度の上限が高いという特徴があるが,実用化されていなかった。今回,同社は定格電流3A品(耐圧900V)と10A品(耐圧1200V)の2種類を,2006年中にサンプル出荷することを決めた。インバータ回路やスイッチング電源向けのIGBT(insulated gate bipolar transistor)やパワーMOS FETの一部を,2008年頃から置き換えられる確信を得たことによる。

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