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 フラッシュ・メモリ大手の米Spansion Inc.は,車載機器や民生機器,通信機器,携帯電話機向けのデータ格納用フラッシュ・メモリ「MirrorBit ORNAND」の製品化ロードマップを発表した。MirrorBit ORNANDは,NANDインタフェースを備え,既存のNANDフラッシュ・メモリと同等のコストで,かつNORフラッシュ・メモリ並みの信頼性と高速読み出し性能を備えたメモリである。メモリ・セル内の物理的に異なる箇所に複数のビットを格納し,多値化する技術「MirrorBit」を採用している。

 車載機器や民生機器,通信機器などに向けた動作電圧が3Vのファミリとして,メモリ容量が128Mビットから2Gビットに至る製品群を用意する。最初の製品は2Gビット品で,2006年第2四半期にサンプル出荷し,2006年第4四半期から量産する。

 携帯電話機に向けた,動作電圧が1.8Vで,メモリ容量が512MビットのMirrorBit ORNAND製品の量産を2006年第3四半期から量産する。この製品は既にサンプル出荷中である。なお,携帯電話機向けMirrorBit ORNANDに関しては,2006年1月に1Gビット品を製品発表済みである。この1Gビット品の量産を,米国Texas州Austinの半導体工場「Fab 25」で既に開始していることも今回明らかにしている。

 携帯電話機などに向けた大容量のSIMカード「HD-SIM」について,2チップ構成のパイロット製品を2006年下半期から提供する。1チップ構成のHD-SIMについては,128Mビット~512Mビットの容量帯の製品を2007年中に供給する計画である。

 この他,開発中の「MirrorBit Quad」技術に基づく製品を2006年後半に発表する予定という。