32nm世代への道筋見えたカーボン・ナノチューブ配線（NMD本誌記事より）

　Cuに比べて最大電流密度を1000倍に高められるカーボン・ナノチューブ配線。遠い将来の話と思われていたこの技術が，ここへ来て現実味を帯びてきた。直径40nmのビア・ホールにナノチューブを埋め込む技術や，ビア抵抗をWプラグ並みに下げる技術が相次ぎ開発されたためである。300mmウエーハ全面に高い均一性で形成することも可能になってきている。この分野で先行する富士通研究所と富士通は，32nm世代での実用化を目指し，カーボン・ナノチューブ配線の開発を加速させている。まずは上下の配線層をつなぐビアからカーボン・ナノチューブを導入し，22nm世代では横方向の配線にも使っていく。