アルバックは，トランジスタの動作速度を高めるひずみSi技術に使えるバッチ式のSiGe成膜装置を開発した。既存の枚葉式装置に比べて，単位時間当たりのウエーハ処理枚数を3～4倍，ひずみの大きさを決めるSiGe膜中のGe濃度を1.5倍に高められる。Si基板メーカーやLSIメーカー向けで2007年4月をメドに発売する。価格は5億円とする。
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