フラッシュ・メモリーを性能とコストでしのぐ可能性を秘めた新型不揮発性メモリー。そのような期待を集めるReRAM（resistive random access memory）に関する研究会「AIST Workshop on Functional Oxides」が，2006年9月に都内で開催された。ここでは，大手LSIメーカー4社がReRAMに関する最新の開発成果を披露した。シャープ，米IBM Corp.，米Spansion Inc.，そして富士通である。これに加えて，国内外の研究機関が，ReRAMの記憶素子の動作原理に関する最新の知見を発表した。
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